Re: [課業] 電子學/MOSFET

作者: zxcvbnm321 (......) 看板: Examination
標題: Re: [課業] 電子學/MOSFET
時間: Tue Apr  6 19:15:30 2010

※ 引述《gtzmt (機會是留給準備好的人)》之銘言：
: 1.考試科目：電子學
: 2.章節名稱or篇名(單元關鍵字)：MOSFET
: 3.目前參考用書or考古題出處：93原
: 4.想問的內容：http://wwwc.moex.gov.tw/examnew1/93/31/505300.pdf
:               第24題
: 5.想法：答案D，看圖形是在飽和區，所以ID是不會在增加的，但我不瞭解電阻通道
:         為什饃會增加，C、D的差別又在哪裡？

I 是 triode

II 是 triode

III 是 saturation

IV 是 saturation

在 VG 固定的情形下

sweep VDS 得到的圖應該大部分電子學書都有

可參考 Sedra/Smith 5e p.254 fig. 4.16

此圖有描述 channel length modulation

也就是該圖後半部  電流些微往上飄的情形

(在 BJT 類似的狀況叫做 Early Effect)

題中由 I 變化至 IV 個過程中是 VDS 漸大的狀況

(a)正確  原因請參考上述的 fig. 4.16 的前半 triode 區
         VDS變大電流會變大

(b)正確  在 fig. 4.16 曲線前半斜率值隨著 VDS 變大而變小
         該圖中的斜率值取倒數即為電阻
         因為縱軸為電流橫軸為電壓

(c)正確  原因也是看圖
         由於 channel length modulation 故電流些微變大

(d)錯誤  ID 對 VDS 偏微分一次倒數可得 ro
         ro 再對VDS偏微分一次大概就是這題要的趨勢
         由 ID = 0.5 * kn'(W/L)Vov^2 * (1+lambda*VDS)
         這個公式來說
         ro 對 VDS 是沒有變化 (微第二次就變成 0)

         不然你這樣看好了
         ro = 1/(ID*lambda)
         隨VDS變大  則ID變大  ro只可能變小  不會變大
         (只是第二種看法我覺得不太合適就是了)

(d)為正解